請教有關 半導體活性層 的翻譯

ceramic

Ｉｎを含む窒化物半導体からなる井戸層と窒化物半導体からなる障壁層を有する量子井戸構造の活性層を、ｐ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層とで挟む構造を有する窒化物半導体素子において、

前記活性層が、前記井戸層より前記ｐ型窒化物半導体層側に配置された障壁層の第１の障壁層と、該第１の障壁層とは前記井戸層を挟んで前記ｎ型窒化物半導体層側であって、前記井戸層より外側で前記ｎ型窒化物半導体層側又は前記井戸層と井戸層の間の障壁層である、第２の障壁層と、を有すると共に、


前記第１の障壁層のｎ型不純物濃度が、100／ｃｍ３以下であり、前記第２の障壁層のｎ型不純物濃度が５500／ｃｍ３以上である窒化物半導体素子。


請問一下上述的文中特別是粗體底線的日文, 翻譯如下之中文不知道翻譯是否有問題, 可否請先進指導一下:

一種氮化物半導體元件，其係包含有一量子井之活性層，其係具有由含有In之氮化物半導體所形成之一井層以及具有由氮化物半導體層所形成之阻障層，以及夾設於該量子井之活性層兩側之一p型氮化物半導體層以及一n型氮化物半導體層：

        該活性層具有：
阻障層之一第一阻障層，其係由該井層而設置於該p型氮化物半導體層側, 該第一阻障層係夾持該井層而位於該n型半島層側；以及
        一第二阻障層，其係從該井層之外而於該n型氮化物半導體層側或者是於該井層與另一井層間以作為阻障層;

其中該第一阻障層之n型雜質之濃度為100／ｃｍ３以下，而第二阻障層之n型雜質之濃度為５00／ｃｍ３以上。

ceramic

我想是否是以下的內容才正確..請各位先進指教

該活性層具有：
阻障層之一第一阻障層，其係由該井層而設置於該p型氮化物半導體層側；以及
一第二阻障層，其係與該第一阻障層係夾持該井層，且位於該n型半導體層側，從該井層外側而於該n型氮化物半導體層側或者是於該井層與另一井層間以作為阻障層;