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http://coffeejp.com/bbs/找北京的业余日语笔译,翻译专利文章(机械和电),75元/ 千日文字符,请试翻下文,寄给我(此次无翻译费):laolitou88@hotmail.com.
本発明の1つの側面(アスペクト)に係る半導体記憶装置は、データの保持にリフレッシュを必要とする複数のセルを有し、リフレッシュに関する欠陥セルのリフレッシュ周期を、正常セルのリフレッシュ周期よりも短くし、リフレッシュ信号に応答して生成される第1のアドレスのセルをリフレッシュする際に、予めプログラミングされた情報に基づき、前記第1のアドレスと予め定められた所定のビットの値が異なる第2のアドレスが欠陥セルに対応していると判定された場合、前記第2のアドレスのセルをリフレッシュする半導体記憶装置であって、リフレッシュ信号に応じて生成される第1のアドレスのセルはリフレッシュせず、予めプログラミングされた情報に基づき、前記第1のアドレスと予め定められた所定のビットの値が異なる第2のアドレスが欠陥セルに対応していると判定された場合、前記第2のアドレスのみをリフレッシュするように制御する制御手段を備えている。 |
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